41. Насачёв А. Г. Формирование релятивистских ленточных электронных потоков в скрещенных полях : дис. ... канд. физ.-мат. наук / А. Г. Насачёв ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2006. - 102 с.
Аннотация Разработана трехмерная модель движения релятивистского электронного потока при термоэлектронной эмиссии с катода, учитывающая влияние эффектов запаздывания распространения взаимодействия между частицами потока при расчете электрических и магнитных полей пространственного заряда.Проведен анализ формирования, как низкоинтенсивного, так и интенсивного релятивистского ленточного электронного потока в системе с однородными скрещенными полями. Обобщена теория электронной пушки М-типа с параболическими траекториями на релятивистский случай
42. Нгуен Тхи Ша Энергетический спектр электронов и особенности оптического поглощения одномерных и двумерных SiO2-структур с дефектами замещения : дис. ... канд. физ.-мат. наук / Нгуен Тхи Ша ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2015. - 108 с.
Аннотация Предложены модели полигидроксисилоксановых цепочек с дефектами замещения и при их взаимодействии с электронодонорными контактами. Локазано, что энергетические и оптические характеристики однослойных двумерных SiO2-структур существенно зависят от типа поверхностных функциональных групп. Показано, что при введении дефектов замещения имеет место искажение энергетических зон и кривых оптического поглощения в зависимости от концентрации дефектов
43. Нгуен Чыонг Тхань Хиеу Исследование процессов переноса и энерговыделения электронов в наноструктурах методом Монте-Карло : дис. ... канд. физ.-мат. наук / Нгуен Чыонг Тхань Xиеу ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2014. - 71 с.
Аннотация Показано, что при вычислении сечений упругого рассеяния электронов малых энергий в твердых телах необходимо использовать модель потенциала "muffin-tin" с включением обменного и поляризационного взаимодействия электрона с атомами в веществе. Выявлено, что при вычислении тормозной способности и средней длины свободного пробега при неупругом рассеянии электронов малых энергий наибольшую точность обеспечивается применением диэлектрического формализма. Доказано, что метод МК (Монте-Карло) в ПНЗ (приближение непрерывного замедления) может использоваться для вычисления коэффициента обратного рассеяния падающего на мишень пучка электронов с энергией до наскольких сотен эВ
Ключевые слова: физическая электроника; энерговыделение электронов; упругое рассеяние электрона; теория рассеяния Мотта; неупругое рассеяние электрона; рассеяние электрона; метод Монте-Карло; перенос электронов в наноструктурах
44. Никулин Р. Н. Физические механизмы воздействия СВЧ-излучения низкой интенсивности на биологические объекты : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04, 03.00.02 / Р. Н. Никулин ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2004. - 115 с.
Аннотация Показано, что скорость генерации энтропии может выступать как один из важных критериев характера воздействия электромагнитного излучения на биологические объекты. Определены собственые частоты колебаний мембраны, протоплазмы и клетки в целом. Впервые установлены диапазоны частот ЭМ колебаний, в пределах которых имеет место резонансное взаимодействие внешнего поля и биологической системы и показаны особые роли СВЧ, КВЧ и іи терагерцового диапазонов в процессах взаимодействия ЭМП с живыми организмами. Впервые предложен физический механизм воздействия внешнего СВЧ поля на процесс транспорта ионов через мембраны клеток. Впервые установлены параметры ЭМП, при которых наблюдается наиболее эффективное воздействие на процессы ионного транспорта, а также пороговые значения мощности, при которых начинает проявляться изменение силы ионного тока по сравнению с контролем
45. Новиков С. И. Электронно-энергетические и оптические характеристики гексагонального нитрида галлия с дефектами замещения : дис. ... канд. физ.-мат. наук / С. И. Новиков ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2013. - 130 с.
Аннотация Предложена и использована для квантовомеханических расчетов модель трехмерной структуры гексагонального нитрида галлия (GaN) с дефектами в объеме различной концентрации. Доказано, что оптические свойства h-GaN обусловлены преимущественно не объемной, а поверхностной фазой. Предложена структурная модель конечнослойных h-GaN с дополнительными атомами на поверхности. Доказано преимущество данной модели для изучения оптических свойств h-GaN методами квантовой механики. На основе предложенной модели с дополнительными поверхностными атомами изучены электронно-энергетические и оптические характеристики тонких GaN-пленок с дефектами на поверхности
46. Пенской А. С. Волны в волноводах при наличии тонких пленок полярных диэлектриков : дис. ... канд. физ.-мат. наук / А. С. Пенской ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2016. - 102 с.
Аннотация Впервые получены трехмерные картины распределения электрического поля и распределение мощности волны внутри волновода при наличии границы раздела воздух - вода с разными углами наклона. Выведены соотношения для расчета коэффициентов отражения и поглощения СВЧ (сверхвысокие частоты) мощности от частоты от границы воздух - слой полярного диэлектрика при непосредственном размещении неоднородности в волновом тракте. Получены зависимости изменения коэффициента отражения от угла падения электромагнитной волны на поверхность и некоторых типов полярных диэлектриков, и получены углы полного согласования таких систем. Доказана возможность согласования волноводного тракта с тонкими диэлектрическими пленками полярных диэлектриков
47. Перминов В. Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d- элементов : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04 / В. Н. Перминов ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2006. - 118 с.
Аннотация Обоснованы оптимальные для расчета размеры кластерной модели и молекулярно-орбитальные вычислительные процедуры. Получены непротиворечивые данные по электронному, геометрическому и энергетическому строению поверхностных центров различных структурных фаз диоксида кремния, подвергнутому жесткому дегидроксидированию. Построены квазимолекулярные (кластерные) модели поверхности Ме(d)-модифицированного диоксида кремния оптимальных размеров, адекватно передающие электронно-энергетические характеристики моделируемых систем. Выявлены особенности электронного строения и спектра энергий одноэлектронных состояний поверхности SiO2 модифицированного ионами 3d- и 4d- элементов в различных степенях окисления
48. Петров М. В. Энергетический спектр электронов поверхности оксидов переходных элементов с диэлектрическим покрытием : дис. ... канд. физ.-мат. наук / М. В. Петров ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2012. - 100 с.
Аннотация Построены кластерные модели поверхностей оксидов 3d- и 4d-элементов с замыканием разорванных валентностей одноэлектронными псевдоатомами, удовлетворяющие условию электронейтральности и требуемой степени окисления атомов переходных элементов. Для перечисленных структур впервые на основе неэмперического квантовохимического расчета проведен детальный анализ: энергетики электронных процессов на поверхности оксидов при различных мультиплетностях атомов переходных элементов, энергетического спектра электронов при различных мультиплетностях атомов переходных элементов
49. Платонов А. А. Восстановление динамики ленточного электронного потока в скрещенных полях : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04 / А. А. Платонов ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2007. - 99 с.
Аннотация Разработан метод моделирования по экспериментальным данным, позволяющий существенно сократить время расчета плотности тока через сечение электронного потока, движущегося в скрещенных полях. Создан метод разделения шумовой и динамической составляющей, основанный на применении преобразования Фурье. Впервые получена размерность фазового пространства системы, равная 4. Показано, что зависимость значения тока от времени с достаточной точностью описывается известной функцией Вейерштрасса. Показано, что скорость спадания гармоник основной частоты зависит от величины основной частоты, введен параметр для ее описания. Доказано и подтверждено численным экспериментом, что шум, наблюдаемый при движении электронного потока, не является динамическим, а представляет собой аддитивный компонент
50. Подопригора А. Г. Критерии качества функционирования адаптивных лазерных систем : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04 / А. Г. Подопригора ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2001. - 153 с.
Аннотация Выявлено влияние структуры возмущений активной среды на эффективность функционирования адаптивной оптической системы. Предложено использовать для характеристики качества активной среды и пучка лазерного излучения приведенную энтропию распределения углов наклона волнового фронта пучка лазерного излучения. Выявлена связь между энтропией сигнала датчика волнового фронта и эффективностью функционирования адаптивной оптической системы. Разработаны критерии подобия процессов и регрессионные модели для определения критерия качества лазерного излучения адаптивных лазерных систем. Разработана методика экспериментального определения приведенной энтропии углов наклона волнового фронта
51. Поляков И. В. Спектр колебаний магнетрона вблизи несущей : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04 / И. В. Поляков ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2005. - 125 с.
Аннотация Разработан метод расчета амплитуд нормальных волн в связанной системе электронный поток - электромагнитная волна. Разработана общая теория распространения электромагнитных волн в гребенчато-штыревых замедляющих системах. Создана численная модель развития сигналов сложного спектрального состава при генерации в магнетроне вблизи несущей. Впервые показано, что величины амплитуд волн вблизи несущей, возбуждаемых за счет модуляции электронного потока, зависят как от разности частот, так и от величины пространственного зарядаI, что приводит к появлению несимметричного спектра вблизи несущей. Впервые исследован процесс формирования электронного сгустка в плоском магнетроне при наличии низкочастотной модуляции электронного потока по скорости и доказано, что появляющиеся эффекты эквивалентны параметрическому взаимодействию сигналов
52. Растова Н. А. Энергетический спектр электронов в двумерных ковалентных структурах с локальными дефектами на поверхности : дис. ... канд. физ.-мат. наук / Н. А. Растова ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2008. - 98 с.
Аннотация Построены квазимолекулярные модели а) кластера с замыканием «боковых» связей одновалентными псевдоатомами, б) кластера с циклическими граничными условиями для двумерных ковалентных структур - идеальных и с локальными ПД. Установлены положения уровней энергии электронов в состояниях, обусловленных локальными ПД в ДКС, относительно границ зон занятых и свободных состояний бездефектной структуры
Ключевые слова: физическая электроника; модели твердых тел; кластерные модели твердых тел
53. Свежинцев Е. Н. Генерация нерегулярных колебаний в приборах М-типа : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04 / Е. Н. Свежинцев ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2002. - 106 с.
Аннотация Создана модель плоского магнетрона в режиме генерации сигналов с двумя частотами. Исследован характер поведения электронного облака на основе разработанной модели. Исследованы особенности процессов развития колебаний в плоском магнетроне при взаимодействии электромагнитных полей, являющихся суперпозицией сигналов с двумя различными частотами, с электронным потоком
Ключевые слова: физическая электроника; магнетронный генератор; модель плоского магнетрона
54. Ситников А. С. Энергетические спектры рентгеноэлектронной эмиссии и обратнорассеянных электронов : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04 / А. С. Ситников ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2011. - 93 с.
Аннотация Получено решение задачи о рентгеноэлектронной эмиссии из однородного образца. Получены функции выхода и энергетические спектры в широком диапазоне энергий. Проведен учет квантовомеханического надбарьерного коэффициента прохождения на границе "вещество-вакуум" и показано, что на пик медленных электронов при рентгеноэлектронной эмиссии существенное влияние оказывает высота потенциального барьера. Получено решение задачи об обратном рассеянии из однородных и неоднородных мишеней. Проведена оценка эффекта близости при инжектировании заряда в тонкие диэлектические пленки, находящиеся на проводящих подложках
55. Стебеньков А. М. Электронное строение и спектр одноэлектронных состояний тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами : дис. ... канд. физ.-мат. наук : спец. 01.04.04. / А. М. Стебеньков ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2009. - 94 с.
Аннотация Построены высокосимметричные квазимолекулярные модели а) кластера с замыканием нескомпенсированных связей одновалентными псевдоатомами, б) орбиталъно - стехиометрического кластера. Рассчитаны плотности одноэлектронных состояний кристаллического германия идеального и с локальными внутриобъемными дефектами замещения атомами переходных элементов. Проведен сравнительный анализ электронно-энергетических характеристик типичных ковалентных и ионно-ковалентных структур, рассчитанных в рамках моделей орбитально-стехиометрического кластера и молекулярного кластера с замыканием оборванных валентностей атомами водорода. Проанализировано влияние различных видов локальных внутриобъемных дефектов замещения на электронное строение и спектр одноэлектронных состояний типичных ковалентных и ионно-ковалентных структур, моделируемых высокосимметричными квазисферическими кластерами
56. Та Динь Хиен Энергетический спектр электронов и особенности оптического поглощения одно- и многослойных структур на основе графена и нитрида бора, допированных атомами щелочных металлов : дис. ... канд. физ.-мат. наук / Та Динь Хиен ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2014. - 99 с.
Аннотация Впервые показано, что запрещенная зона наночастиц графеноводородов и боронитридводородов может варьироваться с помощью изменения их размеров или степени замещения. Впервые получены расчетные электронно-энергетические характеристики многослойных графенов как чистых, так и с внедренными атомами щелочных металлов. Показаны зависимости выигрыша энергии и уровня химического потенциала от числа графеновых плоскостей и концентрации внедренных атомов щелочных металлов. Впервые показано, что при интеркалировании двухслойных структур на основе графена и нитрида бора атомами лития их электроноэмиссионная способность увеличивается. Впервые доказано, что в оптических спектрах поглощения замещенных h-BN-структур появляются низкоэнергетические полосы, обусловленные дефектами замещения
57. Фам Май Ан Исследование физических аномалий в монокристаллах LiNbO3 : дис. ... канд. физ.-мат. наук / Фам Май Ан ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2014. - 88 с.
Аннотация Впервые проведены исследования диэлектрического отклика монокристаллов ниобата лития в слабых переменных полях инфранизких частот. Обнаружено существенное различие частотных зависимостей действительной части комплексной диэлектрической проницаемости LiNbO3 в направлениях осей "а" и "с". Впервые обнаружено явление гистерезиса температурных зависимостей коэффициента затухания а(Т) в области температур выше +130 С. Экспериментально исследовано тепловое расширение монокристаллов ниобата лития в направлении кристаллографической оси "а" в температурном интервале +30 С- +200 С
Ключевые слова: физическая электроника; физические аномалии в монокристаллах; физические свойства монокристаллов; выращивание монокристаллов; кристаллы ниобата лития
58. Харламов О. С. Двухгрупповые модели в теории переноса быстрых электронов : дис. ... канд. физ.-мат. наук / О. С. Харламов ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2005. - 144 с.
Аннотация Впервые исследованы двухгрупповые транспортные модели кинетического уравнения для быстрых электронов, построенные на соединении приближений для группы проникающих в мишень электронов и для группы диффундирующих электронов. Получены в аналитической форме решения для задачи о падении пучка электронов на полубесконечную мишень и пластину. Получены аналитические выражения для ряда характеристик переноса электронов в полубесконечной мишени и пластине
59. Харланов А. В. Акустоэлектрические колебания клетки : дис. ... канд. физ.-мат. наук / А. В. Харланов ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2006. - 118 с.
Аннотация Определены собственные частоты продольных и поперечных акустических колебаний мембраны. Показана возможность генерации клеткой переменных электрического и магнитного поля. Получены и численно решены выражения, позволяющие найти зависимости напряженности и индукции поля, генерируемого клеткой, от времени и координаты. Предложено объяснение роли акустических колебаний клетки в процессе транспорта ионов через мембрану. Предложены возможные причины изменения частот акустических колебаний клетки при воздействии на нее электромагнитных волн. Предложена идея "пространственно-временного резонанса". Предложены возможные виды внешнего электромагнитного воздействия на биологическую клетку, при котором возникает пространственно-временной резонанс
60. Харланов А. В. Пространственно-временной резонанс и взаимодействие электромагнитных и акустических волн в тонких пленках : дис. ... докт. физ.-мат. наук / А. В. Харланов ; ВолгГТУ. - Волгоград, 2019. - 238 с.
Аннотация Предложена модель синхронизации электрических и акустических колебаний в живых организмах внешним электромагнитным полем, а также синхронизации акустических колебаний тонких пленок. Создан механизм влияния электромагнитной волны и акустических колебаний на движение жидких пленок и заряженных частиц. Выведена формула и проведены расчеты значения добротности сферических тонких пленок, совершающих акустические колебания. Определены собственные частоты свободных и связанных электромагнитных колебаний сферических и сфероидальных тонких пленок.
Полный текст
